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S-RCAT (spherical recess cell allay transistor) 구조에 따른 FN stress 특성 열화에 관한 연구 = (The)research of FN stress property degradation according to S-RCAT structure
표제/저자사항 S-RCAT (spherical recess cell allay transistor) 구조에 따른 FN stress 특성 열화에 관한 연구 = (The)research of FN stress property degradation according to S-RCAT structure / 李東仁, 李成泳, 盧用翰
형태사항 p. 1614-1618 ; 30 cm
주기사항 수록자료: 전기학회논문지. 대한전기학회. 56卷 9號(2007년 9월), p. 1614-1618 56:9<1614 상세보기 ISSN 1975-8359
저자: 이동인, 정회원, 삼성전자 메모리 사업부 E-MAIL: Ddong71.lee@samsung.com
저자: 이성영, 정회원, 성균관대 전기전자컴퓨터공학과 교수 E-MAIL: AFC.LEE@samsung.com
저자: 노용한, 정회원, 삼성전자 메모리 사업부 E-MAIL: yhroh@skku.edu
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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