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이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 = Three-dimensional Monte Carlo modeling and simulation of point defect generation and recombination during ion implantation
표제/저자사항 이온 주입 시의 점결함 발생과 재결합에 관한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 = Three-dimensional Monte Carlo modeling and simulation of point defect generation and recombination during ion implantation / 孫明植, 黃好正
형태사항 p. 32-44 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제34권 5호(1997년 5월), p. 32-44 34:5<32 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 손명식, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실
저자: 황호정, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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