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分子線에피택셜 方法으로 成長한 I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As / InP P-HEMT構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究 = (A)study on the V and X shape defects in I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As / InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method
표제/저자사항 分子線에피택셜 方法으로 成長한 I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As / InP P-HEMT構造內의 V 및 X字形 缺陷에 關한 硏究 = (A)study on the V and X shape defects in I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As / InP P-HEMT structure grown by molecular beam epitaxy method / 李海權, 洪相基, 金相基, 盧東完, 李載珍, 片廣毅, 朴亨茂
형태사항 p. 56-61 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제34권 7호(1997년 7월), p. 56-61 34:7<56 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 이해권, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 홍상기, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 김상기, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 노동완, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 이재진, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 편광의, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 박형무, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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