기사
급속열질화에 의한 고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 특성개선 = Improvement of thin oxide grown by high pressure oxidation using rapid thermal nitridation
표제/저자사항 급속열질화에 의한 고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 특성개선 = Improvement of thin oxide grown by high pressure oxidation using rapid thermal nitridation / 盧泰文, 李大雨, 宋潤鎬, 白圭夏, 具珍根, 李德東, 南基守
형태사항 p. 26-34 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제34권 8호(1997년 8월), p. 26-34 34:8<26 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 노태문, 정회원, 한국전자통신연구원
저자: 이대우, 정회원, 한국전자통신연구원
저자: 송윤호, 정회원, 한국전자통신연구원
저자: 백규하, 정회원, 한국전자통신연구원
저자: 구진근, 정회원, 한국전자통신연구원
저자: 이덕동, 정회원, 경북대학교 전자전기공학부
저자: 남기수, 정회원, 한국전자통신연구원
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로