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짧은 채널 효과의 억제를 위한 ISRC(inverted-sidewall recessed-channel)구조를 갖는 0.1㎛ nMOSFET의 특성 = Suppression of short channel effects in 0.1㎛ Si nMOSFETs with ISRC structure
표제/저자사항 짧은 채널 효과의 억제를 위한 ISRC(inverted-sidewall recessed-channel)구조를 갖는 0.1㎛ nMOSFET의 특성 = Suppression of short channel effects in 0.1㎛ Si nMOSFETs with ISRC structure / 柳政澔, 朴炳國, 全國鎭, 李鐘德
형태사항 p. 35-40 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제34권 8호(1997년 8월), p. 35-40 34:8<35 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 류정호, 정회원, 서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동 연구소
저자: 박병국, 정회원, 서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동 연구소
저자: 전국진, 정회원, 서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동 연구소
저자: 이종덕, 정회원, 서울대학교 전기 공학부 및 반도체 공동 연구소
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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