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Al(Cu 1%) 플라즈마 식각후 fluorine 처리에 의한 passivation 막 형성 = (The)formation of the passivation layer by the flourine treatment after Al(Cu 1%) plasma etching
표제/저자사항 Al(Cu 1%) 플라즈마 식각후 fluorine 처리에 의한 passivation 막 형성 = (The)formation of the passivation layer by the flourine treatment after Al(Cu 1%) plasma etching / 金昌日, 權光虎, 金相基, 白圭夏, 尹鏞善, 南基守, 張宜久
형태사항 p. 27-33 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 1호(1998년 1월), p. 27-33 35:1<27 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 김창일, 정회원, 중앙대학교 전자전기공학과
저자: 권광호, 정회원, 한서대학교 전자공학과
저자: 김상기, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 백규하, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 윤용선, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 남기수, 정회원, 한국전자통신연구원 반도체연구단
저자: 장의구, 정회원, 중앙대학교 전자전기공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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