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베이스 표면재결합상태의 불안정에 의한 GaAs HBT의 열화 = Degradation of GaAs HBT induced by instability of base surface recombination states
표제/저자사항 베이스 표면재결합상태의 불안정에 의한 GaAs HBT의 열화 = Degradation of GaAs HBT induced by instability of base surface recombination states / 金得永, 崔宰熏, 金到顯, 宋政根
형태사항 p. 11-17 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 3호(1998년 3월), p. 11-17 35:3<11 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 김득영, 정회원, 동아대학교 전자공학과
저자: 최재훈, 정회원, 동아대학교 전자공학과
저자: 김도현, 정회원, 동아대학교 전자공학과
저자: 송정근, 정회원, 동아대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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