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GSI소자 개발을 위한 극 저 에너지 이온 주입에 대한 분자 역학 시뮬레이션 = Molecular dynamics simulation of ultra-low energy ion implantation for GSI device technology development
표제/저자사항 GSI소자 개발을 위한 극 저 에너지 이온 주입에 대한 분자 역학 시뮬레이션 = Molecular dynamics simulation of ultra-low energy ion implantation for GSI device technology development / 姜正遠, 孫明植, 黃好正
형태사항 p. 18-27 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 3호(1998년 3월), p. 18-27 35:3<18 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 강정원, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정소자 연구실
저자: 손명식, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정소자 연구실
저자: 황호정, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정소자 연구실
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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