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3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 = Three-dimensional Monte Carlo modeling and simulation of ion implantation process : (An)efficient virtual trajectory split approach
표제/저자사항 3차원 몬테 카를로 이온 주입 공정 모델링 및 시뮬레이션 : 효율적인 가상 궤적 발생 알고리듬 = Three-dimensional Monte Carlo modeling and simulation of ion implantation process : (An)efficient virtual trajectory split approach / 孫明植, 黃好正
형태사항 p. 28-38 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 3호(1998년 3월), p. 28-38 35:3<28 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 손명식, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실
저자: 황호정, 정회원, 중앙대학교 전자공학과 반도체 공정·소자 연구실
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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