기사
InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As 다중 양자 우물의 특성 평가 = Material properties of I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy
표제/저자사항 InP 기판 위에 저온 분자선 에피탁시로 성장된 I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As 다중 양자 우물의 특성 평가 = Material properties of I$$n_{0.53}$$< / TEX>G$$a_{0.47}$$< / TEX>As / I$$n_{0.52}$$< / TEX>A$$l_{0.48}$$< / TEX>As MQWs grown on InP substrates by low-temperature molecular beam epitaxy / 李宗洙, 崔佑榮
형태사항 p. 80-86 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 5호(1998년 5월), p. 80-86 35:5<80 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 이종수, 학생회원, 연세대학교 전자공학과
저자: 최우영, 정회원, 연세대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로