기사
Fowler-Nordheim 터널링 전자주입에 의한 질화 게이트 산화막의 특성 분석 = Characterizations of nitrided gate oxides by Fowler-Nordheim tunneling electron injection
표제/저자사항 Fowler-Nordheim 터널링 전자주입에 의한 질화 게이트 산화막의 특성 분석 = Characterizations of nitrided gate oxides by Fowler-Nordheim tunneling electron injection / 張聖洙, 文成根, 盧官鍾, 盧用翰, 李七基
형태사항 p. 79-87 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 7호(1998년 7월), p. 79-87 35:7<79 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 장성수, 정회원, 성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부
저자: 문성근, 정회원, 성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부
저자: 노관종, 정회원, 성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부
저자: 노용한, 정회원, 성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부
저자: 이칠기, 정회원, 성균관대학교 전기 전자 및 컴퓨터 공학부
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로