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불순물 활성화 열처리가 MOS 캐패시터의 게이트 전극과 산화막의 특성에 미치는 효과 = Impacts of dopant activation anneal on characteristics of gate electrode and thin gate oxide of MOS capacitor
표제/저자사항
불순물 활성화 열처리가 MOS 캐패시터의 게이트 전극과 산화막의 특성에 미치는 효과 = Impacts of dopant activation anneal on characteristics of gate electrode and thin gate oxide of MOS capacitor / 趙元珠, 金應秀
형태사항
p. 83-90 ; 26 cm
주기사항
수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 10호(1998년 10월), p. 83-90 35:10<83 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 조원주, 정회원, LG반도체 주식회사 메모리 사업 본부, 공정 개발팀
저자: 김응수, 정회원, 부산외국어대학교 전자공학과
저자: 조원주, 정회원, LG반도체 주식회사 메모리 사업 본부, 공정 개발팀
저자: 김응수, 정회원, 부산외국어대학교 전자공학과
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
