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Hot electron에 의한 RF-nMOSFET의 DC 및 RF 특성 열화 모델 = Hot electron induced degradation model of the DC and RF characteristics of RF-nMOSFET
표제/저자사항
Hot electron에 의한 RF-nMOSFET의 DC 및 RF 특성 열화 모델 = Hot electron induced degradation model of the DC and RF characteristics of RF-nMOSFET / 李炳振, 洪性熙, 劉宗根, 全石熙, 朴鍾泰
형태사항
p. 62-69 ; 26 cm
주기사항
수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 11호(1998년 11월), p. 62-69 35:11<62 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 이병진, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 홍성희, 정회원, 여주대학 사무자동학과
저자: 유종근, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 전석희, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 박종태, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 이병진, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 홍성희, 정회원, 여주대학 사무자동학과
저자: 유종근, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 전석희, 정회원, 인천대학교 전자공학과
저자: 박종태, 정회원, 인천대학교 전자공학과
출처
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MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
