기사
고전 분자 동 역학 시뮬레이션을 이용한 실리콘 격자 손상과 극 저 에너지 붕소 이온 주입에 관한 연구 = (A)study on the silicon damages and ultra-low energy boron ion implantation using classical molecular dynamics simulation
표제/저자사항 고전 분자 동 역학 시뮬레이션을 이용한 실리콘 격자 손상과 극 저 에너지 붕소 이온 주입에 관한 연구 = (A)study on the silicon damages and ultra-low energy boron ion implantation using classical molecular dynamics simulation / 姜正遠, 康裕碩, 孫明植, 卞起良, 黃好正
형태사항 p. 30-40 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제35권 12호(1998년 12월), p. 30-40 35:12<30 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 강정원, 정회원, 중앙대학교 전자공학과
저자: 강유석, 정회원, 중앙대학교 전자공학과
저자: 손명식, 정회원, 중앙대학교 전자공학과
저자: 변기량, 정회원, 중앙대학교 전자공학과
저자: 황호정, 정회원, 중앙대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
위로