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Hot-carrier 현상을 줄인 새로운 구조의 자기-정렬된 ESD MOSFET의 분석 = Analysis of a novel self-aligned ESD MOSFET having reduced hot-carrier effects
표제/저자사항 Hot-carrier 현상을 줄인 새로운 구조의 자기-정렬된 ESD MOSFET의 분석 = Analysis of a novel self-aligned ESD MOSFET having reduced hot-carrier effects / 金庚煥, 張民佑, 崔佑榮
형태사항 p. 21-28 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제36권 5호(1999년 5월), p. 21-28 36:5<21 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 김경환, 정회원, 연세대학교 전자공학과
저자: 장민우, 정회원, 연세대학교 전자공학과
저자: 최우영, 정회원, 연세대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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