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LiNbO₃ 강유전체 박막을 이용한 저전압용 MFS 디바이스의 특징 = Properties of low operating voltage MFS devices using ferroelectric LiNbO₃ film
표제/저자사항 LiNbO₃ 강유전체 박막을 이용한 저전압용 MFS 디바이스의 특징 = Properties of low operating voltage MFS devices using ferroelectric LiNbO₃ film / 金光浩, 鄭焞元, 金蔡圭
형태사항 p. 27-32 ; 26 cm
주기사항 수록자료: 電子工學會論文誌. D. 大韓電子工學會. 제36권 11호(1999년 11월), p. 27-32 36:11<27 상세보기 ISSN 1226-5845
저자: 김광호, 정회원, 청주대학교 전자·정보통신·반도체공학부
저자: 정순원, 학생회원, 청주대학교 전자공학과
저자: 김채규, 학생회원, 청주대학교 전자공학과
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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