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m면 사파이어 기판 상의 질화처리 공정 영향에 따른 m면 질화갈륨 성장에 대한 연구 = Effect of nitridation temperature on the growth of m-plane GaN on m-plane sapphire substrates
표제/저자사항 m면 사파이어 기판 상의 질화처리 공정 영향에 따른 m면 질화갈륨 성장에 대한 연구 = Effect of nitridation temperature on the growth of m-plane GaN on m-plane sapphire substrates / 정수훈, 최성국, 유진엽, 장원범, 이정우, 장지호, 이상태
형태사항 p. 837-843 ; 29 cm
주기사항 수록자료: 새물리. 한국물리학회. 63권 7호(2013년 7월), p. 837-843 63:7<837 상세보기 ISSN 0374-4914
저자: 정수훈, 한국해양대학교 응용과학과 E-MAIL: shjung@hhu.ac.kr
저자: 최성국, 한국해양대학교 응용과학과
저자: 유진엽, 한국해양대학교 응용과학과
저자: 장원범, 한국해양대학교 응용과학과
저자: 이정우, 한국해양대학교 응용과학과
저자: 장지호, 한국해양대학교 응용과학과 E-MAIL: jiho_chang@hhu.ac.kr
저자: 이상태, 한국해양대학교 해양플랜트운영학과
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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