학위논문
MBE에 의한 In Ga₁ As / GaAs 및 In Ga₁ N / GaN 양자점 성장과 특성연구 = Growth and characterization of In Ga₁ As / GaAs and In Ga₁ N / GaN quantum dots by MBE
표제/저자사항 MBE에 의한 In Ga₁ As / GaAs 및 In Ga₁ N / GaN 양자점 성장과 특성연구 = Growth and characterization of In Ga₁ As / GaAs and In Ga₁ N / GaN quantum dots by MBE / 이상준
발행사항 서울: 경희대학교, 2004
형태사항 vii, 128장: 삽도; 26cm
주기사항 학위논문(박사) -- 경희대학교 대학원: 물리학과, 2004
분류기호 한국십진분류법-> 427.62듀이십진분류법-> 537.622
주제명 반도체[半導體]    양자점[量子點]
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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