학위논문
4H-SiC 정션 배리어 쇼트키 다이오드의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구 = Improving electrical characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diode
표제/저자사항 4H-SiC 정션 배리어 쇼트키 다이오드의 전기적 특성 향상 방안에 관한 연구 = Improving electrical characteristics of 4H-SiC junction barrier Schottky diode / 慶信秀
발행사항 서울 : 高麗大學校, 2016
형태사항 xviii, 105장 : 삽화(일부천연색), 도표 ; 26 cm
주기사항 지도교수: 成萬永
학위논문(박사) -- 高麗大學校 大學院, 電氣電子工學科, 2016
참고문헌: 장 81-102
영어 요약 있음
분류기호 한국십진분류법-> 569.42듀이십진분류법-> 621.381522
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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