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학위논문
The growth kinetics and interfacial properties of high k dielectric grown by atomic layer deposition for metal-oxide-semiconductor MOS device applications = 금속 산화물 반도체 소자용 원자층 증착법으로 성장된 고유전율 절연막의 계면특성과 성장역학
표제/저자사항
The growth kinetics and interfacial properties of high k dielectric grown by atomic layer deposition for metal-oxide-semiconductor MOS device applications = 금속 산화물 반도체 소자용 원자층 증착법으로 성장된 고유전율 절연막의 계면특성과 성장역학 / Hyo Sik, Chang
발행사항
Gwangju: Gwangju Institute of Science & Technology, 2004
형태사항
x, 98 leaves: ill.; 30 cm
주기사항
Thesis(Ph.D.) -- Gwangju Institute of Science & Technology: Dept. of Material Science & Engineering, 2004.
Includes bibliographies.
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분류기호
한국십진분류법-> 530.495듀이십진분류법-> 620.195
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
00520150303111639
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
710 ▼a한국생명윤리학회
710 ▼a토지문화관
9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
