학위논문
접합과도용량 분광법을 이용한 HB-GaAs내의 깊은준위 연구 = Study of deep levels in HB-GaAs using junction capacitance transient spectroscopy
표제/저자사항 접합과도용량 분광법을 이용한 HB-GaAs내의 깊은준위 연구 = Study of deep levels in HB-GaAs using junction capacitance transient spectroscopy / 金銀奎
발행사항 서울: 高麗大學校, 1988
형태사항 xi,131p.: 삽도; 26cm
주기사항 학위논문(박사) -- 高麗大學校 大學院: 物理學科, 1988
분류기호 한국십진분류법-> 421.7듀이십진분류법-> 530.41
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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