학위논문
MOCVD 법을 이용한 저결함·무균열 GaN 에피 성장에 관한 연구 = (A)study on the epitaxal growth of the low dislocation·crack free GaN by MOCVD process
표제/저자사항 MOCVD 법을 이용한 저결함·무균열 GaN 에피 성장에 관한 연구 = (A)study on the epitaxal growth of the low dislocation·crack free GaN by MOCVD process / 金德奎
발행사항 익산: 圓光大學校, 2006
형태사항 ix, 137장: 삽화, 도표; 26 cm
주기사항 학위논문(박사) -- 圓光大學校 大學院, 電子材料工學科, 2006
참고문헌: 장 131-137
분류기호 한국십진분류법-> 569.41듀이십진분류법-> 621.38152
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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