학위논문
A statistical method for reliability of tunneling oxide in the flash memory = Flash 메모리의 터널링 산화막 신뢰성 예측을 위한 통계적 방법
표제/저자사항 A statistical method for reliability of tunneling oxide in the flash memory = Flash 메모리의 터널링 산화막 신뢰성 예측을 위한 통계적 방법 / Byung Sup Shim
발행사항 Seoul: Seoul National Univ., 2006
형태사항 xvi, 130 leaves: ill., charts; 26 cm
주기사항 Thesis(Ph.D.) -- Seoul National Univ., School of Electrical Engineering and Computer Science, College of Engineering, 2006.
Bibliography: leaves 119-128.
분류기호 한국십진분류법-> 569.4듀이십진분류법-> 621.38152
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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