학위논문
MBE에 의한 저온성장 GaAs(LT GaAs)를 이용한 평면도파로형 광다이오드 製作
표제/저자사항 MBE에 의한 저온성장 GaAs(LT GaAs)를 이용한 평면도파로형 광다이오드 製作 / 韓哲九
발행사항 서울: 高麗大學校, 1993
형태사항 viii,62장: 삽도; 26cm
주기사항 학위논문(석사) -- 고려대학교 대학원: 전자공학과, 1993
분류기호 한국십진분류법-> 569.8듀이십진분류법-> 621.38171
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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