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학위논문
昇華法에 의한 SiC 單結晶 成長 및 缺陷 樣相에 관한 硏究 = SiC single crystal growth by sublimation process and defects morphology
표제/저자사항
昇華法에 의한 SiC 單結晶 成長 및 缺陷 樣相에 관한 硏究 = SiC single crystal growth by sublimation process and defects morphology / 姜昇珉
발행사항
서울: 漢陽大學校, 1995
형태사항
v,114장: 삽도,도판; 26cm
주기사항
학위논문(박사) -- 한양대학교 대학원: 무기재료공학과, 1995
분류기호
한국십진분류법-> 530.48듀이십진분류법-> 620.193
출처
국립중앙도서관 바로가기
MARC 보기
001KMO201509136
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24500▼a생명이란 무엇인가? :▼b생명·환경·문화 8월 대 토론회 /▼d주최: 토지문화재단 ;▼e주관: 한국생명윤리학회,▼e토지문화관
260 ▼a원주 :▼b토지문화재단,▼c2001
300 ▼a81 p. ;▼c30 cm
500 ▼a일시 및 장소: 2001년 8월 18일(토) ~ 19일(일), 토지문화관
504 ▼a참고문헌 수록
650 8▼a생명 과학[生命科學]
650 8▼a생명론[生命論]
710 ▼a토지문화재단
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9501 ▼a가격불명
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
