학위논문
AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT 구조의 특성 및 ECR 플라즈마에 의한 게이트 리세스 식각 공정 연구 = (A)study of structural properties and gate recess etching process by ECR plasma for AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT
표제/저자사항 AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT 구조의 특성 및 ECR 플라즈마에 의한 게이트 리세스 식각 공정 연구 = (A)study of structural properties and gate recess etching process by ECR plasma for AlGaAs / InGaAs / GaAs PHEMT / 李哲旭
발행사항 경산: 嶺南大學校, 1998
형태사항 iii,147장: 삽도; 26cm
주기사항 학위논문(박사) -- 영남대학교 대학원: 물리학과 고체물리학전공, 1998
분류기호 한국십진분류법-> 421.7듀이십진분류법-> 530.41
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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