학위논문
단결정 실리콘에서의 이온 주입 분포 및 결함 분포에 대한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 = Three-dimensional monte carlo modeling and simulation of as-implanted impurity and damage accumulation in single-crystal silicon
표제/저자사항 단결정 실리콘에서의 이온 주입 분포 및 결함 분포에 대한 3차원 몬테 카를로 모델링 및 시뮬레이션 = Three-dimensional monte carlo modeling and simulation of as-implanted impurity and damage accumulation in single-crystal silicon / 孫明植
발행사항 서울: 中央大學校, 1999
형태사항 ix,146장: 삽도; 26cm
주기사항 학위논문(박사) -- 중앙대학교 대학원: 전자공학과 반도체공학전공, 1999
분류기호 한국십진분류법-> 569.8듀이십진분류법-> 621.38173
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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