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열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드: . = High-voltage GaN schottky barrier diode on si substrate using thermal oxidation
표제/저자사항
열 산화공정을 이용하여 제작된 고전압 GaN 쇼트키 장벽 다이오드: . = High-voltage GaN schottky barrier diode on si substrate using thermal oxidation / Min-Woo Ha Cheong Hyun Roh Hong Goo Choi Hong Joo Song Jun Ho Lee Young-Shil Kim Min-Koo Han Cheol-Koo Hahn
발행사항
서울 : 대한전기학회, 2011
형태사항
주기사항
수록자료: 대한전기학회 학술대회 논문집 (20110720), p. 1418-1419
표준번호/부호
UCI G701:C-00056445927
분류기호
한국십진분류법-> 560.5
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
