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La이 혼입된 고유전체/메탈 게이트가 적용된 나노 스케일 NMOSFET에서의 PBTI 신뢰성의 특성 분석: . = Analysis of positive bias temperature instability characteristic for nano-scale NMOSFETs with La-incorporated High-k/metal gate stacks
표제/저자사항
La이 혼입된 고유전체/메탈 게이트가 적용된 나노 스케일 NMOSFET에서의 PBTI 신뢰성의 특성 분석: . = Analysis of positive bias temperature instability characteristic for nano-scale NMOSFETs with La-incorporated High-k/metal gate stacks / Hyuk-Min Kwon In-Shik Han Sang-Uk Park Jung-Deuk Bok Yi-Jung Jung Ho-Young Kwak Sung-Kyu Kwon Jae-Hyung Jang Sungyong Go Weon-Mook Lee Hi-Deok Lee
발행사항
서울 : 한국전기전자재료학회, 2011
형태사항
주기사항
수록자료: Journal of KIEEME 제24권 제3호 (20110301), p. 182-187
표준번호/부호
ISSN 1226-7945
UCI G701:C-00056497640
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분류기호
한국십진분류법-> 569.205
출처
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
