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Thermal treatment effects of staggered tunnel barrier(Si3N4/Ta2O5) for non volatile memory applications
표제/저자사항
Thermal treatment effects of staggered tunnel barrier(Si3N4/Ta2O5) for non volatile memory applications / 이동현 조원주 [1967-]
발행사항
서울 : 한국진공학회, 2012
형태사항
주기사항
본 자료는 초록(요약문)임
수록자료: 제42회 한국진공학회 … 학술대회 2012년 동계 (20120208), p. 159-160
수록자료: 제42회 한국진공학회 … 학술대회 2012년 동계 (20120208), p. 159-160
표준번호/부호
UCI G701:C-00060364196
분류기호
한국십진분류법-> 554.9405
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)