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용액 공정을 이용한 high-k 게이트 절연막을 갖는 고성능 InGaZnO thin film transistors의 전기적 특성 평가
표제/저자사항 용액 공정을 이용한 high-k 게이트 절연막을 갖는 고성능 InGaZnO thin film transistors의 전기적 특성 평가 / 소준환 박성표 이인규 이기훈 신건조 이세원 조원주 [1967-]
발행사항 서울 : 한국진공학회, 2012
형태사항 PDF1 p.
주기사항 본 자료는 초록(요약문)임
수록자료: 제43회 한국진공학회 … 학술대회 2012년 하계 (20120820), p. 339
표준번호/부호 UCI  G701:C-00060364506
분류기호 한국십진분류법-> 554.9405
출처 국립중앙도서관 바로가기
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
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