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산화막과 질화막 위에 제작된 3D SONOS 다층 구조 플래시 메모리소자의 1/f 잡음 특성 분석 = The 1/f noise analysis of 3D SONOS multi layer flash memory devices fabricated on nitride or oxide layer
표제/저자사항
산화막과 질화막 위에 제작된 3D SONOS 다층 구조 플래시 메모리소자의 1/f 잡음 특성 분석 = The 1/f noise analysis of 3D SONOS multi layer flash memory devices fabricated on nitride or oxide layer / Sang-Youl Lee Jae-Sub Oh Seung-Dong Yang Kwang-Seok Jeong Ho-Jin Yun Yu-Mi Kim Hi-Deok Lee Ga-Won Lee
발행사항
서울 : 한국전기전자재료학회, 2012
형태사항
주기사항
수록자료: 전기전자재료학회논문지 제25권 제2호 (201202--), p. 85-90 ISSN 1226-7945
표준번호/부호
UCI G701:C-00060401699
분류기호
한국십진분류법-> 561.805
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
