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Improvement of thermal stability of Ni-Silicide using vacuum annealing on boron cluster implanted ultra shallow source/drain for nano-scale CMOSFETs
표제/저자사항
Improvement of thermal stability of Ni-Silicide using vacuum annealing on boron cluster implanted ultra shallow source/drain for nano-scale CMOSFETs / 신홍식 [1983-] 오세경 강민호 [1973-] 이가원 [1971-] 이희덕 [1967-]
발행사항
Seoul : Institute of electronics engineers of Korea, 2010
형태사항
주기사항
간행빈도: 계간
수록자료: Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.4 (2010 December) ISSN 1598-1657
수록자료: Journal of semiconductor technology and science Vol.10 No.4 (2010 December) ISSN 1598-1657
출처
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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6339)
