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박막 기억 장치[薄膜記憶裝置]
KSH1998024401
용어범주주제어
관련 창작물1건
용어설명자기 박막을 기록 매체로 사용하는 기억 장치. 자기 코어 기억 장치와 유사한 원리로 동작하는 것으로 한때 주 기억 장치로서의 이용이 시도되기도 했지만 반도체 기억 장치의 발달로 실용화되지는 못 했다.
용어관계※ 용어관계도는 PC화면에서 확인하시기 바랍니다. 용어 관계도
관계유형
동의어(1) 영어(1)
상위어(3) 관련어(5)
관계 동의어 · 유사어 · 외국어
동의어 · 유사어 · 외국어
관계 동의어(UF)
제목 박막 저장 장치[薄膜記憶裝置]
관계 영어(ENG)
제목 magnetic thin film memory
관계 관계주제어
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제목 크리오제닉 컴퓨터 기억 장치[--記憶裝置]
관계 관련어(RT)
제목 크리오제닉 컴퓨터 저장 장치[--貯臧裝置]
창작물
번호 제목 저자 발행년도 발행처
창작물
번호 1
제목 Fabrication of Resistive switching Ramdom Access Memory (ReRAM) using Layer-by-Layer (LbL) method
저자 이치영
발행년도 2014
발행처 서울 : 國民大學校, 2014
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주제명 전거 상세검색 -저자명, 전거제어번호, 생성시기, 범주, 창작물 부여 여부로 구성
주제명
전거제어번호
생성시기 -
범주 (중복선택가능)
창작물 부여 여부

용어 관계도

[상위어]
자기 기억 장치[磁氣記憶裝置]
컴퓨터 주변 장치[--周邊裝置]
하드웨어(컴퓨터)[hardware]
[주제어]
박막 기억 장치[薄膜記憶裝置]
[동의어]
동의어 (UF)박막 저장 장치[薄膜記憶裝置]
영어 (ENG)magnetic thin film memory
[관련어]
자기 드럼[磁氣--]
자기 디스크 드라이브[磁氣--]
자기 코어 기억 장치[磁氣--記憶裝置]
크리오제닉 컴퓨터 기억 장치[--記憶裝置]
크리오제닉 컴퓨터 저장 장치[--貯臧裝置]
[하위어]

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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
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