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금속 산화물 반도체[金屬酸化物半導體]
KSH2004030682
용어범주주제어
관련 창작물6건
용어설명반도체 표면에 산화막을 형성하고 절연물로 그 막 위에 금속을 부착한 구조. MOS 트랜지스터나 MOS형 집적 회로 등에 널리 응용된다.
용어관계※ 용어관계도는 PC화면에서 확인하시기 바랍니다. 용어 관계도
관계유형
동의어(2) 영어(1)
상위어(1) 하위어(2) 관련어(2)
관계 동의어 · 유사어 · 외국어
동의어 · 유사어 · 외국어
관계 동의어(UF)
제목 MOS
관계 동의어(UF)
제목 금속 산화막 반도체[金屬酸化膜半導體]
관계 영어(ENG)
제목 metal oxide semiconductor
관계 관계주제어
관계 주제어
관계 상위어(BT)
제목 반도체[半導體]
관계 하위어(NT)
제목 CMOS
관계 하위어(NT)
제목 MOS 메모리[MOS memory]
관계 관련어(RT)
제목 금속 산화물[金屬酸化物]
관계 관련어(RT)
제목 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터[金屬酸化物半導體電
창작물
번호 제목 저자 발행년도 발행처
창작물
번호 1
제목 용액공정을 이용한 금속산화물반도체 트랜지스터의 제작과 연구 = Study of solution processed metal oxide transistor
저자 박진우
발행년도 2015
발행처 서울 : 국민대학교, 2015
번호 2
제목 상압기반 다층박막의 물리적 전기적 양립성 확보 기술개발을 통한 금속산화물 전투명 구동소자 구현
저자 배진혁 주관연구책임자
발행년도 20181107
발행처 [대전] : 한국연구재단, 20181107
번호 3
제목 MOS capacitor Inversion層의 抵抗測定에 關한 硏究
저자 이상선
발행년도 1983
발행처 서울 : 한양대학교, 1983
번호 4
제목 MOS-Fied effect transistor의 二次元的 數學的 모델에 관한 硏究
저자 오응기[1958-]
발행년도 1982
발행처 서울 : 한양대학교, 1982
번호 5
제목 單調函數에 의한 Boolean 函數分解와 MOS論理回路의 合成에 對한 考察
저자 신재선[1948-]
발행년도 1980
발행처 광주 : 조선대학교, 1980
번호 6
제목 전도성 고분자 및 졸-젤 금속 산화물 기반 수용액상 전해질 뉴로몰픽 트랜지스터 소자 및 응용 회로 개발 = Development of aqueous electrolyte neuromorphic electronics based on conducting polymer and sol-gel metal oxide materials
저자 광주과학기술원 주관연구기관 윤명한[1973-] 주관연구책임자
발행년도 20200330
발행처 [세종] : [과학기술정보통신부], 20200330
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주제명 전거 상세검색 -저자명, 전거제어번호, 생성시기, 범주, 창작물 부여 여부로 구성
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[상위어]
반도체[半導體]
[주제어]
금속 산화물 반도체[金屬酸化物半導體]
[동의어]
동의어 (UF)MOS
동의어 (UF)금속 산화막 반도체[金屬酸化膜半導體]
영어 (ENG)metal oxide semiconductor
[관련어]
금속 산화물[金屬酸化物]
금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터[金屬酸化物半導體電
[하위어]
CMOS
MOS 메모리[MOS memory]

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담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
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