일반도서
HVPE법에 의한 GaN / sapphire 성장기술 및 GaN 후막 단결정 분석기법 : 화합물 반도체 광전소자 EH
표제/저자사항 HVPE법에 의한 GaN / sapphire 성장기술 및 GaN 후막 단결정 분석기법 : 화합물 반도체 광전소자 EH / 저자: 이성남, 한재용
발행사항 서울 : 삼창미디어, 2018
형태사항 116 p. : 삽화, 도표 ; 30 cm
총서사항 (산학융합지구 성과활용-프로젝트Lab PBL 교재)
주기사항 HVPE는 "Hydride Vapour Phase Epitaxy"의 약어임
참고문헌: p. 115-116
『2017 산학융합지구 성과활용지원사업 프로젝트Lab』과제의 결과물로 경기도, 시흥시, 경기산학융합본부의 지원을 받아 제작되었음
표준번호/부호 ISBN 9791188207480 93550
분류기호 한국십진분류법-> 569.41듀이십진분류법-> 621.38152
주제명 반도체 재료[半導體材料]
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
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