일반도서
발광소자 응용을 위한 나노구조체의 도핑 기술개발 = Doping of nanostuctures for light emitting diode applications
표제/저자사항 발광소자 응용을 위한 나노구조체의 도핑 기술개발 = Doping of nanostuctures for light emitting diode applications / 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단 [편]
발행사항 [대전] : 한국원자력연구원 양성자기반공학기술개발사업단, 2009
형태사항 37장 : 삽화, 도표 ; 30 cm
총서사항 (양성자가속기 이용자프로그램 개발 및 운영 = Development and management of proton accelerator user program)
주기사항 연구수행기관명: 전북대학교
연구책임자: 한상욱
참고문헌: 장 36
영어 요약 있음
분류기호 한국십진분류법-> 569.41듀이십진분류법-> 621.38152
주제명 반도체[半導體]    양성자[陽性子]    양성자 가속기[陽性子加速器]    발광 소자[發光素子]
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
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