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Fabrication of Resistive switching Ramdom Access Memory (ReRAM) using Layer-by-Layer (LbL) method
표제/저자사항
Fabrication of Resistive switching Ramdom Access Memory (ReRAM) using Layer-by-Layer (LbL) method / 李致榮 Lee, Chi Young
발행사항
서울 : 國民大學校, 2014
형태사항
주기사항
학위논문: 學位論文(博士) -- 國民大學校 大學院, 新素材工學科 新素材工學專攻, 2014
언어: 한국어 요약 있음
서지: 참고문헌: p. 71-73
指導敎授: 李在甲
언어: 한국어 요약 있음
서지: 참고문헌: p. 71-73
指導敎授: 李在甲
분류기호
한국십진분류법-> 420.4275
주제명
박막 기억 장치[薄膜記憶裝置]
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
