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AlGaN/GaN/Si-based Schottky barrier diode의 제작 및 전기적 특성 = Fabrication and electrical properties of AlGaN/GaN/Si-based Schottky barrier diode
표제/저자사항
AlGaN/GaN/Si-based Schottky barrier diode의 제작 및 전기적 특성 = Fabrication and electrical properties of AlGaN/GaN/Si-based Schottky barrier diode / 張鉉圭 Jang, Hyun Gyu
발행사항
대전 : 과학기술연합대학원대학교, 2015
형태사항
주기사항
학위논문: 학위논문(석사) -- 과학기술연합대학원대학교, 차세대소자공학, 2015
언어: 영어 요약 있음
서지: 참고문헌: p. 58-62
指導敎授: 문재경
언어: 영어 요약 있음
서지: 참고문헌: p. 58-62
指導敎授: 문재경
분류기호
한국십진분류법-> 530.495
주제명
반도체 다이오드[半導體--]
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
