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Instability in the reverse I-V characteristics of Silicon p-n JunctionsInduced by how - Energy Election Irradiation
표제/저자사항
Instability in the reverse I-V characteristics of Silicon p-n JunctionsInduced by how - Energy Election Irradiation / 이우일 [1928-]
발행사항
慶北大學校, 1969
형태사항
주기사항
부논문4편
학위논문: 학위논문(박사) -- 慶北大學校 大學院, 1969
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학위논문: 학위논문(박사) -- 慶北大學校 大學院, 1969
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표준번호/부호
UCI G701:B-00109629871
분류기호
한국십진분류표(박봉석편)-> 851
주제명
불안 정도[不安定度] reverse I-V 특성[特性] 규소[硅素] p-n JunctionsInduced
출처
국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
