학위논문
원자층 증착방법을 이용한 고유전율 게이트 산화박막의 특성 평가에 관한 연구 = (The)study on the characteristics and evaluation of ultra thin high-k gate oxide using atomic layer deposition method
표제/저자사항 원자층 증착방법을 이용한 고유전율 게이트 산화박막의 특성 평가에 관한 연구 = (The)study on the characteristics and evaluation of ultra thin high-k gate oxide using atomic layer deposition method / 具栽亨
발행사항 서울: 漢陽大學校, 2005
형태사항 xv, 257p.: 삽도; 26cm
주기사항 학위논문(박사) -- 漢陽大學校 大學院: 材料工學科, 2005
참고문헌: p.241-251
분류기호 한국십진분류법-> 530.495듀이십진분류법-> 620.195
주제명 유전체 박막[誘電體薄膜]
출처 국립중앙도서관 바로가기
담당부서 : 국가서지과 (02-590-6361)
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