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공핍층 광 다이오드[空乏層光--]
KSH2004031948용어범주주제어
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용어설명광 다이오드의 한 가지. 광 다이오드는 크게 공핍층 광 다이오드와 애벌란시 광 다이오드(APD)로 분류된다. 일반적인 형태의 공핍층 광 다이오드는 절연 파괴 전압(breakdown voltage) 이하에서 작동하는 역방향 바이어스 p-n 접합으로 구성된다. 적당한 주파수의 전자(電磁) 방사에 노출되면 광전도성의 결과로 과잉 전하 반송파(excess charge carrier)가 생성된다. 이 반송파는 전자-정공 페어(electron-hole pair)의 형태인데 일반적으로 아주 신속하게 재결합된다. 그러나 p-n 접합에 존재하는 공핍층 내에서나 가까이에서 생성된 반송파는 접합을 건너감으로써 광전류를 생성한다. 공핍층 광 다이오드 중에서 가장 일반적인 것은 핀 광 다이오드이다.
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광 다이오드[光--]
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공핍층 광 다이오드[空乏層光--]
[동의어]
영어 (ENG)depletion layer photodiode
[관련어]
공핍층[空乏層]
[하위어]
핀 광 다이오드[--光--]
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